按分類篩選：
-
成立時(shí)間：2020-01-20所在地區(qū)：廣東 深圳主營(yíng)產(chǎn)品： MOSFET IGBT IC
-
成立時(shí)間：2020-01-20所在地區(qū)：廣東 深圳主營(yíng)產(chǎn)品： 東芝MCU IGBT/MOS 馬達(dá)驅(qū)動(dòng)IC IPD模塊
-
成立時(shí)間：2020-01-19所在地區(qū)：廣東 深圳主營(yíng)產(chǎn)品： 二極管 三極管 光耦 MOS
-
成立時(shí)間：2020-01-19所在地區(qū)：廣東 深圳主營(yíng)產(chǎn)品： 電子元器件 電子元器件 模塊 IGBT
-
成立時(shí)間：2020-01-19所在地區(qū)：廣東 深圳主營(yíng)產(chǎn)品： 電子元器件 IC 場(chǎng)效應(yīng)MOS 肖特基
-
成立時(shí)間：2020-01-19所在地區(qū)：廣東 深圳主營(yíng)產(chǎn)品： 通華芯 IC 士蘭微 MOS
-
成立時(shí)間：2020-01-18所在地區(qū)：廣東 深圳主營(yíng)產(chǎn)品： 要經(jīng)營(yíng)IGBT模塊 整流二極管模塊 IGBT單管 SPM模塊
-
成立時(shí)間：2020-01-17所在地區(qū)：廣東 深圳主營(yíng)產(chǎn)品： MOS IGBT Power IC
-
成立時(shí)間：2020-01-17所在地區(qū)：廣東 深圳主營(yíng)產(chǎn)品： 美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體（NS） 臺(tái)灣立積（RICHWAVE） 美國(guó)PAM 臺(tái)灣立琦（RICHTEK）
-
成立時(shí)間：2020-01-15所在地區(qū)：廣東 深圳主營(yíng)產(chǎn)品： IC集成電路光耦 LED發(fā)光管二三極管 電容電阻IGBT模塊 繼電器高頻管
-
成立時(shí)間：2020-01-15所在地區(qū)：廣東 深圳主營(yíng)產(chǎn)品： IC 二 3極管 場(chǎng)效應(yīng)管
-
成立時(shí)間：2020-01-15所在地區(qū)：廣東 深圳主營(yíng)產(chǎn)品： 松下連接器 IGBT電源 轉(zhuǎn)接頭
-
成立時(shí)間：2020-01-14所在地區(qū)：廣東 深圳主營(yíng)產(chǎn)品： 功率模塊 電源模塊 可控硅模塊 二極管模塊
-
成立時(shí)間：2020-01-12所在地區(qū)：廣東 深圳主營(yíng)產(chǎn)品： IGBT MOS管 三端穩(wěn)壓管 快恢復(fù)二極管
-
成立時(shí)間：2020-01-12所在地區(qū)：廣東 深圳主營(yíng)產(chǎn)品： 電子產(chǎn)品 FSC MOS IGBT
-
成立時(shí)間：2020-01-12所在地區(qū)：廣東 深圳主營(yíng)產(chǎn)品： 電源芯片IC IGBT電源模塊 FRD電源模塊 二三極管
-
成立時(shí)間：2020-01-11所在地區(qū)：廣東 深圳主營(yíng)產(chǎn)品： 模塊 可控硅 平板硅 繼電器
-
成立時(shí)間：2019-12-26所在地區(qū)：廣東 深圳主營(yíng)產(chǎn)品： IGBT測(cè)試儀 分立器件測(cè)試儀 半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀 功率分立器件測(cè)試
-
成立時(shí)間：2019-12-24所在地區(qū)：廣東 深圳主營(yíng)產(chǎn)品： 電源IC IGBT MOS 肖特基
-
成立時(shí)間：2019-12-24所在地區(qū)：廣東 深圳主營(yíng)產(chǎn)品： 電源IC MOS管 IGBT 三極管
